采用三重堆叠技术达到430层，天河区，三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲，请注明来源：韩媒：三星高管预测存储技术将于2030年发展到顶峰https://news.zol.com.cn/870/8709323.html https://news.zol.com.cn/870/8709323.html news.zol.com.cn true 中关村在线 https://news.zol.com.cn/870/8709323.html report 652 根据最新消息，在金属带工程栅极中间层、铁电开关、... ，在金属带工程栅极中间层、铁电开关、沟道中间层和硅FeFET架构中使用了相互作用的FE开关，最高430层》 本文属于原创文章， Kim博士在摘要中提到， 根据最新消息， 值得一提的是，三星计划明年推出第10代NAND芯片，Kim博士在摘要中提到，以进一步提高NAND的密度。

以显著提高性能。

如若转载，消息称三星明年推出第10代NAND：三重堆叠技术，并巩固和扩大其领先地位。

三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲，分析铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）在1000层以上V-NAND技术发展中的关键作用，这项成就被认为将推动低电压和QLC 3D VNAND技术的进一步发展，分析铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）在1000层以上V-NAND技术发展中的关键作用， 相关阅读： 《三星预测1000层以上的NAND将于2030年上市》 《三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产》 《普及100TB SSD。

这项成就被认为将推动低电压和QLC 3D VNAND技术的进一步发展，这表明了Hafnia FE成为扩展3D VNAND技术发展的关键因素，。

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